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다이오드의 property(특성) 측정

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작성일 23-10-14 13:52

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[그림 19-1] 다이오드의 기본 구조
다이오드는 그림 19-1과 같이 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 구조로 되어 있다아 P형 쪽을 (+)극, N형 쪽을 (-)에 접속하면 화살표 방향으로 전류가 흐르는데 이와 같은 접속 방법을 순방향 바이어스라고 한다.

(2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정(測定) 한다.순서

다이오드의 property(특성) 측정

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실험과제/기타

다이오드의 property(특성) 측정
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1. experiment(실험) 목적

(1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 속성 을 이해한다.

⑤ 5항의 첨자

-…(투비컨티뉴드 )

3. experiment(실험) 결과

(1) 표 19-4

(2) 표 19-5. 순방향 전압에서의 전류

(3) 표 19-6. 역방향 전압에서의 전류

(4) 표 19-7. 순방향 전압에서의 전류속성 곡선 그래프

(5) 표 19-8. 역방향 전압에서의 전류

4. bibliography

다이오드의 특성 측정 , 다이오드의 특성 측정기타실험과제 , 다이오드 특성 측정

설명
다.

② 2항의 문자 : 대개 S로 하며 반도체 소자를 표시한다.

③ 3항의 문자 : 반도체 소자의 극성과 용도를 나타내는 것으로 표 19-2와 같다

④ 4항의 숫자 : 1항의 숫자 및 3항의 문자에 의해 구분된 종별마다 11부터 처음 하는 추가 등록 번호를 표시한다.
이 experiment(실험)에서는 인가 전압이 증가함에 따라 전류가 어떻게 alteration(변화) 하는가와 인가 전압의 방향을 반대로 했을 때의 전류 alteration(변화) 를 watch한다.

(2) 반도체 소자 규격

반도체 소자에 대한 형명은 미국에서는 1N……, 2N…… 등의 JEDEC의 규정에 따라 쓰로 유럽에서는 로마자와 숫자와의 조합으로 표시하고 있고, 특히 日本(일본)의 JIS와 EIAJ에 의한 것을 introduction하면다음과 같다.

① 1항의 숫자 : 반도체 소자의 종별을 표시하며 표 19-1과 같다.

2. 이론(理論)

(1) 다이오드

반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다.

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