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[공학,기술] 전자회로 기초 實驗(실험) - 테브난의 요약

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작성일 24-01-06 02:15

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◈ test(실험) 일자 : 2014년 3월 24일 월요일
◈ test(실험) 관련 이론(理論)
- 테브냉의 정리(整理) -
복잡한 회로에서 어떤 한 부분의 전류나 전압 값만 알고 싶을 경우가 있을 것이다. , 의 측정(measurement)치를 사용하여 (그림1)의 회로에 대한 의 값을 계산하여 값을 기록한다.

8) 의 측정(measurement)치를 사용하여 (그림1)의 를 계산하고, 기록한다.

7) 을 측정(measurement)하여 값을 기록한다.

14) 를 에 맞추고 을 측정(measurement)하여 그 값을 기록한다.

2) (그림1)과 같이 회로를 구성한다. 그럴 때 테브냉의 정리(整理) 를 이용하면 모든 회로를 다 해석할 필요 없이 복잡한 부분은 단순한 등가 회로로 만들고 필요한 부분의 값만 좀 더 쉽게 구할 수 있다아 예를 들어 RL소자에서의 전압이나 전류를 알고 싶으면 나머지 부분을 VTH와 RTH의 직렬연결로 대신하여 표현하고 이로부터 간단하게 구할 수가 있다아 결국은 VTH와 RTH를 구하는 방법을 아는 것이 중요한데 VTH는 부하 저항이 제거된 상태, 즉 개방회로에서 본 전압이다.

12) 1000Ω의 부하 저항 을 제거하고 3300Ω의 부하 저항을 연결한다.

(2) 직병렬 회로의 分析(분석)시 와 의 값을 test(실험) 적으로 확인한다. 이 전압이 이다. 이곳에 전압계를 연결하면 VTH를 측정(measurement)할 수 있다아 그리고 RTH은 회로내의 전압원을 단락시키고 RL를 개방시켜서 이곳에서 바라본 저항값으로 구할 수 있다아
위 그림의 왼쪽과 같은 회로가 있으면 그것을 테브냉의 정리(整理) 를 이…(생략(省略))

1) 멀티미터를 사용하여 임의의 7개의 저항을 정하여 각 저항을 측정(measurement)하여 기록한다.

10) test(실험) 2에서 측정(measurement)한 와 test(실험) 3에서 측정(measurement)한 을 비교해본다.

13) 330Ω저항 대신에 1000Ω의 부하 저항을 사용하여 (그림2)와 같이 테브냉 등가 회로를 연결하라. 와 는 앞에서 측정(measurement)한 330Ω때의 기록된 측정(measurement)치이다.

3) B단과 C단의 연결을 끊고, B단과 C단 사이의 전압을 측정(measurement)한다. 를 15V로 조정하고, 을 측정(measurement)하여 그 값을 기록한다.

6) (그림2)와 같이 회로를 구성하여 의 값을 330Ω으로 연결한다.

4) 전원을 제거하고 점 A단과 D단 간에 선을 연결하여 A단과 D단 사이를 단락시키고, 점 B단과 C단의 저항을 측정(measurement)하기 위하여 B단과 C단에 멀티미터를 연결하여 측정(measurement)된 값을 기록한다. (그림1)의 회로에서 이므로 를 이용하여 를 구성한다. 부하 저항 의 전류 을 측정(measurement)하고 이 값을 기록한다.

15) 1000Ω 저항을 제거하고 3300Ω 부하 저항을 연결한다.

9) (7)과 (8)에서 계산한 와 의 값을 사용하여 을 계산하고, 기록한다.

11) (그림1)의 회로에서 을 1000Ω저항으로 대체한다. 측정(measurement)된 값을 기록한다. 〓330Ω을 연결하고 전원을 켠 다음 15V로 를 조정한다.

16) 와 에 대한 측정(measurement)치를 사용하여 (그림1)의 회

다.을 측정(measurement)하여 그 값을 기록한다.

5) 〓가 되도록 전원을 조정한다. 를 15V로 조정하고, 을 측정(measurement)하여 그 값을 기록한다. [공학,기술] 전자회로 기초 實驗(실험) - 테브난의 요약

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실험과제/기타

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◈ test(실험) title(제목) : 테브난의 정리(整理)
◈ test(실험) 목적 :

번호	제목
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